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對紅外LED的認知與運用有一些誤區，其間較重要的是：
一、對散熱的重要性比擬無視：咱們常見運用太小的散熱片或底子沒運用散熱片的狀況呈現。要知道：散熱不良會形成芯片作業溫度高而發生紅外波長飄升和光電變換功率下降的成果。波長飄高，超越850nm后，形成攝像機CCD對光線感應變差，也就是夜視作用變差。光電變換功率低就是亮度不行。往往幾毛錢的散熱片會發生小兵立大功的大作用。
二、以為較大芯片就必定比擬小芯片“亮”：因而常盲目指定需求用大尺度芯片的LED。要知道：亮度取決于電流，電流能用多大？取決于散熱的處置，也就是：散熱決議了電流進而決議了亮度，而非芯片的尺度決議亮度。理論上，一樣品牌芯片不管尺度巨細，若電流、電壓一樣（功率一樣），發生的熱量就同，問題在：一樣的熱量是散在多大面積上？散在針孔般巨細的面積上與散在巴掌般巨細的面積上，其散熱處置的難度就大大不一樣了。在處置散熱上，各家因為技能不一樣，設備不一樣，散熱資料不一樣，因而，各家能在多大面積上處置掉一樣的“熱“的才能就不一樣。
三、過錯的以手觸摸來測驗溫度：常常有人被個人嚇了一跳，因為人手放在超越攝氏44度的外殼（或散熱體）上，不到2-3秒就不能忍受了，因而覺得“太熱”，其實，這溫度并不高，徹底不會損傷電子元器件的正常作業。何況外殼（或散熱體）的溫度越高就說明晰：“熱”導出越杰出?！澳芰渴遣粶绲摹?--想象：外殼（或散熱體）不熱，這“熱”到那兒去了？熱停留在芯片上導不出，就形成芯片在高溫下作業，夜視作用就差，光衰就大，壽數就短。
舉例而言：若供給1.2A的電流在晶元28mil芯片和42mil芯片上，其電壓略同（1.7V左右），所以功率略同（約2W），當然發生的熱量也略同，問題是：把這2W的熱量散在42mil芯片的面積上，比擬簡單處置，散在28mil芯片上就難了些。運用傳統銀膠來“固晶”的封裝辦法，其熱阻通常為20°C-30°C/W，運用共晶技能封裝，其熱阻通常為6°C-10°C/W，這說明散熱作用截然不一樣。以上兩者能運用的驅動電流就大大不一樣了，亮度也就相差很大了。
當然，用領先的散熱技能而選用小芯片封裝、大電流驅動的辦法也有極限，若將上述2W的熱量放在10mil芯片的面積上，即便以共晶制程封裝，當前也難順暢完好的把熱導出。期盼將來在散熱技能、資料更前進后，或許能完成運用更小芯片，價錢更低，但夜視作用照舊的更領先的紅外LED。
綜上所述：大尺度芯片的夜視作用未必比小尺度芯片的強，端視散熱處置的好壞來決議。因而，共晶制程的封裝技能就是當前性價比前進的重要手法之一，也應是將來的趨勢。
